功率半導體器件(Power Semiconductor Device)又稱電力電子器件(Power Electronic Device)，主要用於電力設備的電能變換和電路控制，是進行電 能(功率)處理的核心器件，弱電控制與強電運行間的橋樑。 典型的功率處理功能包括變頻、變壓、變流、功率放大和功率管理，除保證 設備正常運行以外，功率器件還起到有效的節能作用。
（資料來源：科技新報）
基本上，功率半導體大致可分為功率離散元件(Power Discrete)與功率積體電路(Power IC)二大類，其中，功率離散元件產品包括金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、二極體(Diodes)、絕緣柵雙極電晶體(ＩＧＢＴ)。
（資料來源：網路）
MOSFET 係屬於功率半導體元件的一種，為電子資訊產品之電源控制元件，具備大導通電流、低導通電阻值、高切換速度及耐高壓電流之特性，主要應用於電腦、行動電話及可攜式產品之交換式電源控制系統。
（資料來源：鉅亨新聞網）
IGBT是半導體器件的一種，主要用於電動車輛、鐵路機車及動車組的交流電電動機的輸出控制。傳統的BJT導通電阻小，但是驅動電流大，而MOSFET的導通電阻大，卻有著驅動電流小的優點。IGBT正是結合了這兩者的優點：不僅驅動電流小，導通電阻也很低。
(資料來源：維基百科）
功率半導體係用以轉換電能以及控制電子裝置、機器和系統。功率半導體也應用於高速火車和區間車以及小型通勤火車和地鐵的馬達馬達。其他應用包括風力發電和太陽能光電系統、伺服器、筆記型電腦、智慧型手機、平板電腦、娛樂電子產品與行動通訊基礎設施的電源供應器，以及照明管理系統。
（資料來源：ctime)
IC Insights 指出，歷經 2015 年短暫下調後，2016 年全球功率半導體市場 重新將回升至 124 億美元。在各類功率元件中，最具成長性的產品是高壓MOSFET(超過 200V)與 IGBT 模組，兩類產品在 2015~2020 年期間的複合年 成長率(CAGR)預估分別為 4.7%與 4.0%。
（資料來源：kKnews)
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